企业简介
鼎元光电科技股份有限公司 main business:jewellery and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
welcome new and old customers to visit our company guidance, my company specific address is: 新竹科学工业园区工业东四路１号.
If you are interested in our products or have any questions, you can give us a message, or contact us directly, we will receive your information, will be the first time in a timely manner contact with you.
鼎元光电科技股份有限公司的商标信息
鼎元光电科技股份有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | TWM331192 | 发光二极体 | 2008.04.21 | 一种发光二极体，系包括：一反射层、一基板、一N型氮化镓欧姆接触层、一氮化铟镓发光层、一P型氮化镓欧姆 |
| 2 | TW285348 | 低杂讯光电晶体阵列结构改良 | 1996.09.01 | 本创作「低杂讯光电晶体阵列结构改良」系有关一种可压任抑两光电晶体间之光扩散电流所产生之低位准昇高，所 |
| 3 | TW200538329 | 汽机车引擎起动侦测方法及装置 | 2005.12.01 | 本发明揭示一种汽机车引擎起动成功或失败之侦测方法及装置，以侦测起动前及发动后电瓶之端电压，据以判定引 |
| 4 | TW200421630 | INGAN发光二极体导电层及介电层之材质 | 2004.10.16 | 本发明系一种InGaN发光二极体导电层及介电层之材质，该二极体包括：一基板、一层叠于基板上之N型半导 |
| 5 | CN205723611U | 金属键结的发光二极管 | 2016.11.23 | 本实用新型提供一种金属键结的发光二极管，包括基板、第一接合金属层、第二接合金属层、导电氧化层以及外延 |
| 6 | TWM380571 | 高散热发光二极体 | 2010.05.11 | 本创作系有关于一种高散热发光二极体，该发光二极体包含一基板及一磊晶结构，该磊晶结构设置于该基板，该基 |
| 7 | TWM508800 | 发光二极体之半导体结构 | 2015.09.11 | |
| 8 | CN102610708B | 发光二极管的制法 | 2014.09.03 | 本发明是关于一种发光二极管的制法，包含：前段制程、制作电极，制作电极后形成半成品、化学成膜步骤以及切 |
| 9 | CN103094445A | 具不均匀侧边的发光二极管结构 | 2013.05.08 | 本发明是有关于一种具不均匀侧边的发光二极管结构，可用于诸如一般发光二极管、高压发光二极管、交流电发光 |
| 10 | CN102767704A | 反打式灯具 | 2012.11.07 | 一种反打式灯具，包含一灯座、一反射单元、一基板、一散热单元及一发光模块。该灯座包括一壳体及一设置于该 |
| 11 | CN102760705A | 散热器 | 2012.10.31 | 本发明公开了一种散热器，包括一承接座及多个散热鳍片。该承接座包括一界定有上下两开口的管体，及一形成于 |
| 12 | CN102610708A | 发光二极管的制法 | 2012.07.25 | 本发明是关于一种发光二极管的制法，包含：前段制程、制作电极，制作电极后形成半成品、化学成膜步骤以及切 |
| 13 | CN102479886A | 具有粗化层的发光二极管的制造方法 | 2012.05.30 | 本发明涉及一种具有粗化层的发光二极管的制造方法，本发明的制造方法主要利用控制发光二极管的倾斜角度并进 |
| 14 | CN201975415U | 发光二极管 | 2011.09.14 | 本实用新型是关于一种发光二极管，包括：一磊晶芯片、一P型电极以及一N型电极，该磊晶芯片的顶面设有多个 |
| 15 | CN201946600U | 垂直式发光二极管 | 2011.08.24 | 一种垂直式发光二极管，包括：一外延芯片、一P型电极以及一N型电极，该P型电极形成于该外延芯片上，该P |
| 16 | TWM409541 | 高功率垂直式发光二极体 | 2011.08.11 | |
| 17 | 高功率垂直式发光二极体 | 2011.08.11 | ||
| 18 | CN301635854S | 灯泡(一) | 2011.08.03 | 外观设计产品的名称：灯泡(一)。外观设计产品的用途：一种用于照明的灯泡。外观设计的设计要点：在于灯泡 |
| 19 | CN301627579S | 灯泡(三) | 2011.07.27 | 外观设计产品的名称：灯泡(三)。外观设计产品的用途：一种用于照明的灯泡。外观设计的设计要点：在于灯泡 |
| 20 | CN301532322S | 灯泡(二) | 2011.04.27 | 外观设计产品的名称：灯泡(二)。外观设计产品的用途：一种用于照明的灯泡。外观设计的设计要点：在于灯泡 |
| 21 | CN201638839U | 高散热发光二极管 | 2010.11.17 | 本实用新型是关于一种高散热发光二极管，该发光二极管包含一基板及一磊晶结构，该磊晶结构设置于该基板，该 |
| 22 | CN101865701A | 光传感器的输出比例调整方法 | 2010.10.20 | 本发明涉及一种光传感器的输出比例调整方法，该光传感器的调整方法包括以下步骤：测得光传感器的响应光谱； |
| 23 | CN201490193U | 光二极管阵列结构 | 2010.05.26 | 本实用新型是一种光二极管阵列结构，主要是第一电极上设有多个以间隔且阵列排列的第二电极，并将多个阻断部 |
| 24 | CN201478335U | 改良型光传感器 | 2010.05.19 | 本实用新型是一种改良型光传感器，包括：一基体、一受光芯片以及一镀膜。该基体具有第一、二电极部；该受光 |
| 25 | TWM375982 | 光二极体阵列结构 | 2010.03.11 | 本创作系一种光二极体阵列结构，主要系第一电极上设有复数以间隔且阵列排列之第二电极，并将复数阻断部分别 |
| 26 | CN201386925Y | 交流发光装置 | 2010.01.20 | 本实用新型涉及一种交流发光装置，用以连接交流电源，包括：一基材、一LED组、一电阻以及一对电性连接部 |
| 27 | CN100565873C | 结合整流电路于次载具的发光二极管发光装置与制造方法 | 2009.12.02 | 本发明提出一种以交流电直接驱动、整合整流电路与发光二极管的发光装置，以及其相关的制作方法。此发光二极 |
| 28 | TWM366759 | 改良型光感测器 | 2009.10.11 | 本创作系一种改良型光感测器，包括：一基体、一受光晶片以及一镀膜。该基体系具有第一、二电极部；该受光晶 |
| 29 | TWI315810 | 发光二极体蒸着膜图案形成之方法及装置 | 2009.10.11 | 一种发光二极体蒸着膜图案形成之方法及装置，其形成之方法主要系包括下列步骤：a、将载具置于磁性吸附元件 |
| 30 | CN101546762A | 发光二极管及其制法 | 2009.09.30 | 本发明涉及一种发光二极管的结构及其制法，该发光二极管结构包括有至少一发光二极管元件、一硅元件组及至少 |
| 31 | TW200939528 | 发光二极体及其制法 | 2009.09.16 | 本发明系有关一种发光二极体及其制法，该发光二极体结构系包括有至少一发光二极体元件、一矽元件组及至少二 |
| 32 | CN201311323Y | 光传感器 | 2009.09.16 | 本实用新型涉及一种光传感器，该光传感器包括有一第一支架、一第二支架、一设有镀膜的感光芯片及一屏蔽体， |
| 33 | CN100444416C | 发光二极管的制法及其结构 | 2008.12.17 | 一种发光二极管的制法及其结构，其制法主要包括下列步骤：1.于基材上蚀刻出一凹槽，该凹槽角度为44～6 |
| 34 | CN201126829Y | 发光二极管 | 2008.10.01 | 本实用新型涉及一种发光二极管，通过一反射层、一基板、一N型氮化镓欧姆接触层、一氮化铟镓发光层、一P型 |
| 35 | TW200837860 | 高速光检二极体之制造方法 | 2008.09.16 | 一种高速光检二极体之制造方法，主要系包括下列步骤：一、设置介电层：于N型半导体层中心区掺杂形成之P型 |
| 36 | TWM334549 | 高效率雷射二极体 | 2008.06.11 | 一种高效率雷射二极体,系包括有一散热基板、一第一金属层、一第二金属层、一介电披覆层、一电极接触层、一 |
| 37 | TWI297222 | 高光取出效率氮化镓系发光二极体装置结构与制造方法 | 2008.05.21 | 本发明所提出的氮化镓系发光二极体装置，包含由下而上依序堆叠的一基板、一包含有p-n介面的发光结构、一 |
| 38 | TWM331828 | 雷射二极体 | 2008.05.01 | 一种雷射二极体，系包括有一散热基板、一第一金属层、一第二金属层、一介电披覆层、一电极接触层、一设有十 |
| 39 | TW200743142 | 二氧化矽薄膜制程 | 2007.11.16 | 一种二氧化矽薄膜制程，主要系包括下列步骤：a、将二氧化矽粉末与六氟矽酸溶液调配为过饱和溶液并加水稀释 |
| 40 | TW200742112 | 高光取出效率氮化镓系发光二极体装置结构与制造方法 | 2007.11.01 | 本发明所提出的氮化镓系发光二极体装置，包含由下而上依序堆叠的一基板、一包含有p-n介面的发光结构、一 |
| 41 | CN101064354A | 发光二极管蒸着膜图案形成的制法及装置 | 2007.10.31 | 本发明涉及一种发光二极管蒸着膜图案形成的制法及装置，其制法包括下列步骤：a.将载具置于磁性吸附元件上 |
| 42 | CN101060149A | 发光二极管蒸着膜图案形成的方法及装置 | 2007.10.24 | 本发明涉及一种发光二极管蒸着膜图案形成的方法及装置，其形成的方法主要包括下列步骤：a.将载具置于磁性 |
| 43 | TW200739937 | 发光二极体蒸着膜图案之制法及装置 | 2007.10.16 | 一种发光二极体蒸着膜图案之制法及装置，其制法系包括下列步骤：a、将载具置于磁性吸附元件上方；b、将晶 |
| 44 | TW200739251 | 发光二极体蒸着膜图案形成之方法及装置 | 2007.10.16 | 一种发光二极体蒸着膜图案形成之方法及装置，其形成之方法主要系包括下列步骤：a、将载具置于磁性吸附元件 |
| 45 | TWM318803 | 光检二极体 | 2007.09.11 | 一种光检二极体，包含：一底部与阴极导电层相连接之N型半导体基板层、一叠设于前述N型半导体基板层上之N |
| 46 | TWM318804 | 光检二极体结构 | 2007.09.11 | 一种光检二极体结构，包含：一底部与阴极导电层相连接之N型半导体基板层、一叠设于前述N型半导体基板层上 |
| 47 | CN1983594A | 结合整流电路于次载具的发光二极管发光装置与制造方法 | 2007.06.20 | 本发明提出一种以交流电直接驱动、整合整流电路与发光二极管的发光装置，以及其相关的制作方法。此发光二极 |
| 48 | TW200723556 | 结合整流电路于次载具的发光二极体发光装置与制造方法 | 2007.06.16 | 本发明提出一种以交流电直接驱动、整合整流电路与发光二极体的发光装置，以及其相关的制作方法。此发光二极 |
| 49 | CN1874013A | 发光二极管的制法及其结构 | 2006.12.06 | 一种发光二极管的制法及其结构，其制法主要包括下列步骤：1.于基材上蚀刻出一凹槽；2.于凹槽底部以离子 |
| 50 | TW200640038 | 发光二极体之制法及其结构 | 2006.11.16 | 一种发光二极体之制法及其结构，其制法主要系包括下列步骤：1、于基材上蚀刻出一凹槽；2、于凹槽底部以离 |
新闻中心
该公司还没有发布任何新闻
行业动态
该公司还没有发表行业动态
企业资质
该公司还没有上传企业资质
Map(The red dot in the figure below is 鼎元光电科技股份有限公司 at the specific location, the map can drag, double zoom)
Tips: This site is 鼎元光电科技股份有限公司 at mass public network free website, if you are the person in charge of the unit, please click here application personalized two after landing and update your business domain data, you can delete all of your unit page ads, all operations free of charge.
|
鼎元光电科技股份有限公司 |
| Contact:傅佩文 |
| Telephone:00886 3 5781616 |
| 地址:新竹科学工业园区工业东四路１号 |
猜你喜欢
友情链接